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杨志坚, 童玉珍, 张国义, 程立森, 张泽. 金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究[J]. 物理, 2000, 29(01).
引用本文: 杨志坚, 童玉珍, 张国义, 程立森, 张泽. 金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究[J]. 物理, 2000, 29(01).
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金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究

    摘要
  • 摘要: 研究了金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在（０００１）氧化铝基底上生长的ＧａＮ薄膜的微结构，目的在于解释ＧａＮ缓冲层在二步法生长过程中的作用及其对外延层晶体质量的影响．在缓冲层中观察到了高密度的结构缺陷，并发现了两种晶体结构（立方和六角）的ＧａＮ．进而对两种结构ＧａＮ的成因进行讨论，并对缓冲层和外延层中结构缺陷的关系进行了研究．

     

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