高级检索
夏建白, 黄昆. 我国半导体物理研究进展[J]. 物理, 1999, 28(9).
引用本文: 夏建白, 黄昆. 我国半导体物理研究进展[J]. 物理, 1999, 28(9).

我国半导体物理研究进展

  • 摘要: 简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展.它包括三个方面:半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构.这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展.

     

/

返回文章
返回