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黄昆. 半导体物理学发展简况[J]. 物理, 1993, 22(5).
引用本文: 黄昆. 半导体物理学发展简况[J]. 物理, 1993, 22(5).

半导体物理学发展简况

  • 摘要: 根据今年在北京召开的第21届国际半导体物理会议上的总结性发言,对当今半导体物理学的发展作了简要的介绍.给出了对近五次半导体物理国际会议上论文的分类(体材料性质、表面与界面、异质结和超晶格、小量子系统、杂质和缺陷及一般问题)统计结果.指出由均匀材料的研究向微结构材料研究转移,代表近年主要的发展趋势.对微结构材料研究,具体列举了在超周期性质和空间限制效应上的研究进展,并强调了对物理学前沿发展的重要推动作用.

     

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