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唐超群. 正电子湮没技术在GaAs研究中的应用[J]. 物理, 1989, 18(2).
引用本文: 唐超群. 正电子湮没技术在GaAs研究中的应用[J]. 物理, 1989, 18(2).
shu

正电子湮没技术在GaAs研究中的应用

    摘要
  • 摘要: 本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体ＧａＡｓ进行的以下几方面研究：生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．

     

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