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俞振中. 红外探测器的新型材料——HgCdTe晶体的生长和应用[J]. 物理, 1988, 17(5).
引用本文: 俞振中. 红外探测器的新型材料——HgCdTe晶体的生长和应用[J]. 物理, 1988, 17(5).
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红外探测器的新型材料——HgCdTe晶体的生长和应用

    摘要
  • 摘要: Ｈ—ＶＩ族化合物ＨｇＴｅ与ＣｄＴｅ能无限无溶，形成赝二元系合金Ｈｇｌ－ｘＣｄｘＴｅ（以后简称ＨｇＣｄＴｅ）晶体材料．组分ｘ可以从零到１．材料的物理性质随组分ｘ的变化可连续地从半金属改变到半导体．利用ＨｇＣｄＴｅ材料制作的红外探测器，有很宽的波长覆盖，它的特点是：介电常数小、光吸收系数大、电子－空穴迁移率比高等．这种晶体是目前最有发展前途的一种红外探测器材料［１］．一、ＨｇＣｄＴｅ晶体研究的崛?...

     

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