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卢励吾, 许振嘉. 集成电路中的物理问题讲座 第七讲 硅中杂质的物理行为[J]. 物理, 1985, 14(10).
引用本文: 卢励吾, 许振嘉. 集成电路中的物理问题讲座 第七讲 硅中杂质的物理行为[J]. 物理, 1985, 14(10).

集成电路中的物理问题讲座 第七讲 硅中杂质的物理行为

  • 摘要: 在化学元素周期表中,已观察到许多元素在硅中能形成电子能级.它们作为硅中的杂质,其物理行为目前只有很少数的几种(例如B,P,As等)为人们所了解,而对周期表中的绝大多数元素在硅中的物理性质研究得还远远不够.本文根据现有的工作,论述一些杂质在硅中的物理行为.一、Ⅲ族(B,Al,Ga)及V族(P,As,Sb)元素众所周知,Ⅲ,V族元素是硅中最重要的杂质.它们在硅中分别是受主和施主杂质,并在硅禁带中?...

     

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