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林汝淦, 张金福, 麦振洪, 崔树范, 傅全贵. 不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察[J]. 物理, 1984, 13(7).
引用本文: 林汝淦, 张金福, 麦振洪, 崔树范, 傅全贵. 不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察[J]. 物理, 1984, 13(7).
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不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察

    摘要
  • 摘要: 一、前言无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响着大规模集成电路的性能，已引起许多学者的关注和兴趣［１－３］，由于微缺陷的应力场很小，目前对直拉硅单晶中微缺陷的观察，主要采用择尤化学腐蚀法、缀饰Ｘ射线形貌术、ＥＢＩＣ模式扫描电子显微术、透射电子显微术等．但上述方法的共同缺点是要对样品进行处理．近年来，一些学者采用特殊的Ｘ射线双晶形貌方法，对硅单晶原生微缺陷进行观察［４，５］，但其设备复杂，实验周期长?...

     

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