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佘觉觉, 王维明. 关于用离子束刻蚀作剖面分析时深度值的定标问题[J]. 物理, 1984, 13(2).
引用本文: 佘觉觉, 王维明. 关于用离子束刻蚀作剖面分析时深度值的定标问题[J]. 物理, 1984, 13(2).
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关于用离子束刻蚀作剖面分析时深度值的定标问题

    摘要
  • 摘要: 一、引言俄歇电子能谱和光电子能谱结合离子束刻蚀逐层检测，可以获得剖面分布曲线．一般说来，这样做的结果只能得到信号－时间（ｔ）的关系．实际应用中需要把这种关系转换为信号与厚度Ｚ的关系．本文以Ｓｉｏ２／Ｓｉ为例，讨论如何进行转化．二、分析在溅射时间ｔ１后刻蚀的层厚Ｚ为［１］其中Ｓ（溅射速率）为式中Ｍ为（平均）原子量，ρ为（平均）密度，ＮＡ为阿伏伽德罗常数，ｅ为基本电荷，ＳＭ为（平均）溅射产额（原?...

     

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