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梁晓春, 丁丕光, 徐彬, 李士俊, 傅长保. 硅霍耳元件和特斯拉计[J]. 物理, 1984, 13(2).
引用本文: 梁晓春, 丁丕光, 徐彬, 李士俊, 傅长保. 硅霍耳元件和特斯拉计[J]. 物理, 1984, 13(2).
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硅霍耳元件和特斯拉计

    摘要
  • 摘要: 霍耳效应是美国物理学家霍耳于１８７９年在金属中发现的．１９４８年以后，半导体的霍耳效应得到了广泛重视，制成了各种霍耳元件．首先出现的是锗霍耳元件，１９５５年出现了硅霍耳元件．近二十年来，随着化合物半导体材料（如ＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＰ，ＧａＡｓ等）的出现，用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视（如西德西门子公司的ＦＡ，ＦＣ和ＳＶ系列，美国贝尔公司的ＢＨ系列）．其中有?...

     

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