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李大中, 宋学文, 戴国才. 辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究[J]. 物理, 1983, 12(2).
引用本文: 李大中, 宋学文, 戴国才. 辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究[J]. 物理, 1983, 12(2).

辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究

  • 摘要: 非晶态硅(a-Si)太阳能电池的研究,是近几年来世界上引人注目的一个重要课题.主要原因是a-si材料成本低,而且在用于制造太阳能电池时具有某些较好的性能,如在太阳光谱峰值附近,a-Si的光吸收系数比单晶硅高出近一个数量级.早在1976年,就有人制得了能量转换效率高达5.5%的a-Si太阳能电池[1]。目前制备a-Si膜最常用的是辉光放电法.我们对用此法如何制备具有优良光响应特性的掺氢?...

     

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