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张钟华. 一种新的量子效应──半导体表面二维电子气的量子化霍耳效应[J]. 物理, 1983, 12(10).
引用本文: 张钟华. 一种新的量子效应──半导体表面二维电子气的量子化霍耳效应[J]. 物理, 1983, 12(10).

一种新的量子效应──半导体表面二维电子气的量子化霍耳效应

  • 摘要: 在强磁场作用下,半导体内的载流子能产生一系列磁量子效应,如费米能级分裂为高度简并的朗道(Landau)能级,产生舒勃尼柯夫-德哈斯(Shubnikov-deHaas)磁阻振荡效应及磁声子效应等.MOS型场效应管这一类器件的出现,又大大地促进了对这些量子现象的研究.特别是在n沟道增强型场效应管中,由于表面反转层中的电子以二维电子气的状态存在,为这些量子效应提供了一个很好的研究模型.不少研究者利?...

     

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