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吴长树, 李炽. 用液相外延法制备InSb(:Zn)n~+-p材料[J]. 物理, 1982, 11(3).
引用本文: 吴长树, 李炽. 用液相外延法制备InSb(:Zn)n~+-p材料[J]. 物理, 1982, 11(3).
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用液相外延法制备InSb(:Zn)n~+-p材料

    摘要
  • 摘要: 宫尾、亘池等人１］采用滑动液相外延技术，在掺Ｇｅ的Ｐ型ＩｎＳｂ衬底片上，生长重掺Ｔｅ的ｎ＋型外延层．由于ｎ＋层的简并所呈现的伯恩斯坦－莫斯（Ｂｕｒｓｔｅｒ－Ｍｏｓｓ）位移效应２，３］，使入射光内３—５ｕｍ大气窗口波段的红外部分能透过ｎ＋层而无损耗地抵达耗尽层和Ｐ型基片，在体内产生光生载流子而引起高效率的光生伏特效应．ｎ＋层载流子浓度和透过的红外光短波一侧的截止波长ｅｆｆ之间的关系为１，３］....

     

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