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何元金, 郁伟中, 李龙土. 掺杂的PbTiO_3铁电陶瓷中的正电子湮没[J]. 物理, 1982, 11(12).
引用本文: 何元金, 郁伟中, 李龙土. 掺杂的PbTiO_3铁电陶瓷中的正电子湮没[J]. 物理, 1982, 11(12).
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掺杂的PbTiO_3铁电陶瓷中的正电子湮没

    摘要
  • 摘要: 正电子湮没技林（ＰＡＴ）在材料缺陷的研究中有着广泛的应用［１］．但它用于铁电陶瓷组分缺陷的研究则刚刚开始．Ｔｓｕｄａ［２，３］等研究了掺Ｇｄ的ＢａＴｉＯ３的正电子寿命谱，证明正电子对掺Ｇｄ所造成的Ｂａ空位是敏感的．本文报道Ｌａ，Ｍｎ复合置换的ＰｂＴｉＯ３铁电陶瓷的正电子寿命谱测量结果．样品配料分子式为（Ｐｈ－（１－１．５ｘ）其中表示Ｐｂ空位，ｘ值从１％到１０％．样品按陶瓷工艺制成２０×２０×1....

     

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