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高鸿楷, 陈国夫. 多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs[J]. 物理, 1981, 10(8).
引用本文: 高鸿楷, 陈国夫. 多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs[J]. 物理, 1981, 10(8).
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多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs

    摘要
  • 摘要: 一、引言在无油超高真空中，用钯激活Ｐ型重掺杂的磷化镓（ＧａＰ）晶体，形成的负电子亲和势发射体ＧａＰ：Ｃｓ是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高，而且随一次电子能量的增加而上升．当一次电子能量为６００ｅＶ时，多晶ＣａＰ：Ｃｓ的次级电子发射系数已达３０，国外报道是２０—５０．普通合金材料的次级电子发射系数通常只有３—６．汽相沉积多晶ＧａＰ是以能冲压成任意形状的钼片为衬底的，生长成活率高?...

     

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