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罗荣芳, 黄绍泉. 电阻法测定Al-Si合金膜电迁移激活能[J]. 物理, 1981, 10(8).
引用本文: 罗荣芳, 黄绍泉. 电阻法测定Al-Si合金膜电迁移激活能[J]. 物理, 1981, 10(8).
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电阻法测定Al-Si合金膜电迁移激活能

    摘要
  • 摘要: 铝膜中加入１—３％Ｓｉ，能提高集成电路中铝布线的抗电迁移能力和防止使结短路的蚀坑形成．ＶａｎＧｕｒｐ研究了含硅量分别为０．３％和１．８％、厚度为０．５μｍ的Ａｌ－Ｓｉ合金膜的电迁移激活能，用平均失效时间方法求得电迁移激活能为０．３１—０．３２ｅＶ，与含硅量无关．Ｂｌａｃｙ研究了含硅量为０．７９％，１．９％和３％、厚度为０．７０—０．７３μｍ用０．８μｍ厚的磷硅玻璃覆盖的Ａｌ－Ｓｉ膜的?...

     

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