中国物理学会期刊
Chinese Physics Letters Chinese Physics B 物理学报 物理 中国物理学会期刊网
高级检索
陈廷杰, 孙伯康. 高纯砷化镓液相外延层内剩余杂质的光致发光研究[J]. 物理, 1981, 10(7).
引用本文: 陈廷杰, 孙伯康. 高纯砷化镓液相外延层内剩余杂质的光致发光研究[J]. 物理, 1981, 10(7).
shu

高纯砷化镓液相外延层内剩余杂质的光致发光研究

    摘要
  • 摘要: 一、引言用外延技术生长ＧａＡｓ薄层是制备ＧａＡｓ微波器件和光电器件的最重要的工艺．要提高外延层的质量，就必须了解外延层内的剩余杂质，以便进一步降低剩余杂质，有效地控制晶体的特性．光致发光方法由于其灵敏度高、方法简便及非破坏性的检测，适合于研究薄膜和微区的特性．它是用于研究ＧａＡｓ中杂质和缺陷的有效方法［１］．我们采用光致发光法研究了高纯ＧａＡｓ液相外延（ＬＰＥ）（ｌｉｑｕｉｄｐｈａｓｅｅｐｉ?...

     

    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)

/

返回文章
返回