中国物理学会期刊
Chinese Physics Letters Chinese Physics B 物理学报 物理 中国物理学会期刊网
高级检索
张开逊, 王向. 低温下p-n结正向特性的实验研究[J]. 物理, 1981, 10(2).
引用本文: 张开逊, 王向. 低温下p-n结正向特性的实验研究[J]. 物理, 1981, 10(2).
shu

低温下p-n结正向特性的实验研究

    摘要
  • 摘要: 我们在4．2—300K的温区对Ge．Sｉ．GaAs的ｐ－ｎ结正向压降与温度的关系进行了实验研究，发现了两个有普遍性的规律：(１）随着温度的降低，所有的Ge，Sｉ，GaAs二极管的正向压降与温度关系曲线都存在一个突变点，低于突变温度之后，二极管正向压降随着温度的降低急剧增高，呈单晶热敏电阻特性．(2）高于突变温度后，二极管正向压降V随着温度丁的增高而缓慢减小，dV／dT随温度的增高而增大，ｄ２Ｖ／ｄＴ２随温度的增高单调减?...

     

    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
  • 资源附件(0)

/

返回文章
返回