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陈万春. 溶液晶体生长动力学机理研究近况[J]. 物理, 1980, 9(6).
引用本文: 陈万春. 溶液晶体生长动力学机理研究近况[J]. 物理, 1980, 9(6).

溶液晶体生长动力学机理研究近况

  • 摘要: 一、引言晶体生长动力学是晶体生长理论研究的中心课题之一.它是根据结晶过程中结晶基元(原子、分子或原子团)的相互作用规律,通过对生长率和过饱和度曲线及有关实验资料的分析,探讨生长过程的微观机理.生长机理研究可追溯到上世纪后半叶的W.Gibbs-P。Curie表面能理论以及此后发展的A.Noyes-W.Nernst扩散层理论,M.Volmer的吸附层理论.早期的生长理论,虽然涉及到一些动力学理论?...

     

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