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孔繁敖, 陈祖耀. 气敏半导体元件的温度效应[J]. 物理, 1980, 9(6).
引用本文: 孔繁敖, 陈祖耀. 气敏半导体元件的温度效应[J]. 物理, 1980, 9(6).

气敏半导体元件的温度效应

  • 摘要: 氧缺位的二氧化锡显示了n型半导体的性质1],对微量有毒、有害、易爆气体十分敏感,由此制成的气敏半导体元件为检出这些气体提供了新的途径2-5].目前此种元件的稳定性还很不理想.元件的工作温度对气敏元件的灵敏度、稳定性和选择性等都有极大影响,但温度的变化规律迄今未见仔细研究6].本文试从能量平衡的观点导出稳态时元件的热平衡方程,并据此研究各种工作条件下的温升规律和热自激现象,以期对提高气敏元件....

     

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