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中国科学院上海原子核研究所活化分析组. 应用质子活化分析测定半导体硅中痕量氧、氮和碳[J]. 物理, 1980, 9(1).
引用本文: 中国科学院上海原子核研究所活化分析组. 应用质子活化分析测定半导体硅中痕量氧、氮和碳[J]. 物理, 1980, 9(1).

应用质子活化分析测定半导体硅中痕量氧、氮和碳

  • 摘要: 一、引言荷电粒子活化分析是一种基于核技术的分析方法.通过荷电粒子与待测核间的核反应,产生放射性核素;测量这些放射性核素的特征放射性及其强度,即可进行元素的定性、定量分析.荷电粒子活化分析轻元素的灵敏度很高,在国民经济中有着重要的应用.例如半导体材料的质量、电学性能与它的痕量轻元素杂质(氧、氮和碳)的含量有关.对这些痕量轻元素进行高灵敏度的定量测定,就成为半导体等超纯材料的研制和生产中的重要环?...

     

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