摘要: 一、引言在某些微声表面波器件里，希望有一种低声速的材料，同时要求它具有一定的压电性能，例如锗酸铋（Ｂｉ_１２；ＧｅＯ_２０，简称ＢＧ）单晶就是这样的材料．能否获得这方面性能比锗酸铋更好的材料呢？这是我们关心的课题．我们在生长锗酸铋单晶的基础上，考虑到硅（Ｓｉ）与锗（Ｇｅ）同是ＩＶＡ族元素，都有＋４价的氧化物，其离子半径相近（锗为０．５５埃，硅为０．４０埃），它们的配位数都具有４，６两种可能的数?...