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中国科学院物理研究所钇铝石榴石研究小组. 钇铝石榴石单晶的生长及光学不均匀性[J]. 物理, 1974, 3(3).
引用本文: 中国科学院物理研究所钇铝石榴石研究小组. 钇铝石榴石单晶的生长及光学不均匀性[J]. 物理, 1974, 3(3).

钇铝石榴石单晶的生长及光学不均匀性

  • 摘要: 用提拉法生长了掺釹钇铝石榴石晶体.比较了从不同釹离子液度的熔体中生长的晶体的光学不均匀性及其激光性能.在我们实验的釹浓度范围内,当生长条件大致相同时,釹离子浓度愈高,晶体的光学均匀性愈差.改变生长条件,使晶体的均匀性相近时,其脉冲激光效率随釹的浓度的提高而有所改善.此外,还研究了晶体的光学不均匀性对晶体的激光性能的影响.研究了影响晶体光学质量的两种重要缺陷,即核心和生长条纹.在倒圆锥形固液界面的顶端,(211)小面的出现,形成了核心.核心处具有较高的釹浓度、较高的位错密度和较大的应力,并使激光束产生严重的畸变.由于温度起伏形成的生长条纹对激光束产生衍射和散射作用.核心的出现与掺釹关系不大(主要取决于界面形状);而条纹的加剧则与熔体中的釹浓度有着明显的关系.

     

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