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柯勇贯, 李朝红. 拓扑反能带理论[J]. 物理, 2023, 52(11): 779-782. DOI: 10.7693/wl20231106
引用本文: 柯勇贯, 李朝红. 拓扑反能带理论[J]. 物理, 2023, 52(11): 779-782. DOI: 10.7693/wl20231106

拓扑反能带理论

  • 摘要: 能带理论是量子力学在固体材料中的一次伟大应用,催生了半导体和半导体激光等发明,促进了第三次工业革命。根据量子力学,我们知道原子中的电子只能处于离散的能级。如果原子之间的距离很远,那么电子被束缚在各自的原子核附近,原子系综存在大量的相互独立的简并能级。然而,如果将原子紧密周期排列,电子可以在不同的原子间运动,耦合简并的能级,使得简并的能级间发生能级排斥,能量随着晶格动量的变化形成连续的能带。人们根据能带带隙的大小将固体材料分为金属、绝缘体和半导体,能带带隙也决定了半导体激光、发光二极管的发光频率。

     

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