摘要: 分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。其基本原理是在超高真空条件下，将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长。由于每一台分子束炉的炉口装有一个能快速开闭的快门，因而生长时能快速改变所生长材料的成分及掺杂种类。MBE技术是在20世纪60年代末由美国贝尔实验室首先发展起来的。MBE技术具有生长速度较慢且可控、表面及界面平整、材料组成及掺杂种类变化迅速、生长衬底温度低等特点，因而被广泛用来生长组分及掺杂分布陡峻的突变异质结和复杂的多层结构。